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MJ11032,MJ11033,达林顿晶体管

是否提供加工定制:否 品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MJ11032G,MJ11033G 应用范围:达林顿 击穿电压VCBO:-(V) 集电极允许电流ICM:-(A) 集电极耗散功率PCM:-(W) 截止频率fT:-(MHz) 封装形式:TO?204 (TO?3) 封装材料:金属封装

BU941P,达林顿三极管

是否提供加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:BU941P 应用范围:达林顿 极性:NPN型 击穿电压VCBO:-(V) 集电极允许电流ICM:-(A) 集电极耗散功率PCM:-(W) 截止频率fT:-(MHz) 结构:面接触型 封装形式:直插型 封装材料:金属封装

TIP122,达林顿晶体管

是否提供加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:TIP122 应用范围:达林顿 材料:硅 极性:NPN型 击穿电压VCBO:-(V) 集电极允许电流ICM:-(A) 集电极耗散功率PCM:-(W) 封装形式:TO-220 封装材料:金属封装

TIP127,达林顿晶体管

是否提供加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:TIP127 应用范围:达林顿 材料:硅 极性:PNP型 击穿电压VCBO:-(V) 集电极允许电流ICM:-(A) 集电极耗散功率PCM:-(W) 截止频率fT:-(MHz) 封装形式:TO-220 封装材料:金属封装

BU208A,BU941,达林顿三极管

是否提供加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:BU208A,BU941 应用范围:达林顿 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:-(V) 集电极允许电流ICM:-(A) 集电极耗散功率PCM:-(W) 截止频率fT:-(MHz) 结构:面接触型 封装形式:直插型 封装材料:金属封装

BUX48A,高功率的NPN硅晶体管

是否提供加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:BUX48A 应用范围:达林顿 材料:硅 极性:NPN型 击穿电压VCBO:-(V) 集电极允许电流ICM:-(A) 集电极耗散功率PCM:-(W) 截止频率fT:-(MHz) 结构:面接触型 封装形式:直插型 封装材料:金属封装