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IRG4PC50W，IRG4PC50WPBF，进口

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRG4PC50WPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:500（V） 夹断电压:500（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

IRGIB10B60KD1，原装TGBT

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRGIB10B60KD1 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

供应场效应管IGBT，IRG4BC20UD

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRG4BC20UD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

FGA15N120，15N120，IGBT

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FGA15N120 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

场效应管WFF7N60，WFF2N60

品牌/商标:WISDOM 型号/规格:WFF7N60，WFF2N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

SPW35N60C3，35N60C3，原装场效应管

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SPW35N60C3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

STP7NK80Z，7NK80，场效应管，原装进口

品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP7NK80Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V/前置(输入级) 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:800（V） 夹断电压:800（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

IRF1010N，IRF1010NPBF，场效应管

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF1010N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

2SK2541，2SK2541-T，场效应管

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SK2541-T 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

STP10NK80Z，10NK80，场效应管，原装

品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP10NK80Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

FQPF5N90，5N90，场效应管，原装进口

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF5N90 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

FQPF2N70，2N70，场效应管，原装进口

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF2N70 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

FQP50N06，50N06，场效应管，原装进口

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP50N06 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

FQP3N80，3N80，场效应管，原装进口

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP3N80，FQP3N80C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

FQPF13N50C，13N50，场效应管，原装进

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF13N50C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

IRG4PC50UD，IRG4PC50UDPBF，IGBT原装进口全新

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRG4PC50UD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1.65（V） 夹断电压:600（V） 跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

场效应管，IXFX24N100，1000V，24A

品牌/商标:IXFS 型号/规格:IXFX24N100 封装:TO-247 极限电压:1000（V） 极限电流:24（A） 用途:用于设备电源部分 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型

FQP7N80C，7N80，场效应管，原装进口

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP7N80 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

供应场效应管，2SK2765，2SK2765-01，原装进口

品牌/商标:富士RUJI 型号/规格:2SK2765-01 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

IRLR120N，IRLR120NTR，场效应管

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLR120N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）